制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

发射极 - 基极电压 VEBO:9 V

集电极—射极饱和电压:0.55 V

最大直流电集电极电流:3 A

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:30

封装:Reel

商标:Taiwan Semiconductor

集电极连续电流:3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:5

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors

单位重量:400 mg